郝惠莲

发布者:阮勤超发布时间:2014-05-30浏览次数:3302

郝惠莲

 

材料工程系

 

硕导

办公电话

021-67791474

通讯地址

上海市龙腾路333

电子邮件

Huilian.hao@sues.edu.cn

教育背景

时间

毕业院校

学历

2006-2009          上海交通大学                             博士

 

工作经历

2012―至今  上海工程技术大学                讲师

20062009  INNOTECHSOLAR AS        SENIOR SCIENTIST 

 

研究方向

半导体光电子器件,硅基太阳电池,半导体光电特性,

 

科研项目

上海市高校教师优青自助,上海工程技术大学博士启动

 

 

代表性论文专著

专著/译著: 

1.  H. L. Hao, etal, “Optimization of Shunt Isolation Processing for Silicon Solar Cells Via Laser and Chemical Etching”. “Applied Surface Science” (Accepted).

2.  H. L. Hao, L. K. Wu, W. Z. Shen, and H. F. W. Dekkers, “Origin of visible     luminescence in hydrogenated amorphous silicon nitride films”, Appl. Phys. Lett.91, 201922-(1-3) (2007); 他引41次。

3.  H. L. Hao, L. K. Wu, and W. Z. Shen, “Controlling the red luminescence from the silicon quantum dots in hydrogenated amorphous silicon nitride films”, Appl. Phys. Lett.92, 121922-(1-3) (2008); 他引32次。

4.  H. L. Hao and W. Z. Shen, “Identification and control of the origin of photo-      luminescence from silicon quantum dots”, Nanotechnology 19, 455704-(1-5) (2008); 他引8次。

5.  L. K. Wu, H. L. Hao, W. Z. Shen, G. Ariyawansa, A. G. U. Perera, and S. G.      Matsik, “Dual-band pixelless upconversion imaging devices”, Opt. Lett.32,      2366-(1-3) (2007).

6.  L. K. Wu, H. L. Hao, and W. Z. Shen, “Enhanced light absorption in GaN/AlGaN Mid-infrared detectors and application for pixel-less up-conversion imaging”, J. Appl. Phys. 103, 044507-(1-7) (2008).

 

 

教学工作

本科生:主讲《半导体器件工艺》,《微电子封装综合实验》

研究生:《材料物理与化学前言》

 

软件版权登记及专利

 

申请发明专利:

1.        一种新型倒装LED芯片结构及其制作方法。

发明人:郝惠莲等,专利号:2013104831870

2.        一种高反射层倒装LED芯片结构及其制作方法。

发明人:郝惠莲等,专利号:201310482731.X

3.        带反射镜的无像元上转换成像装置制造方法。

发明人:沈文忠,武乐可,郝惠莲。

授权号:CN 100481528C