企业专家进课堂——薄膜晶体管基础与器件物理前沿

发布者:阮勤超发布时间:2026-06-26浏览次数:10

为加深学生对半导体器件物理基础知识的理解,拓展对薄膜电子器件及相关前沿技术的认识,《半导体器件物理》课程邀请临港实验室薛宁研究员走进课堂,为电子封装技术专业本科生作题为“薄膜晶体管基础及前沿应用”的专题授课。薄膜晶体管(Thin Film TransistorTFT)是在绝缘基底上通过沉积半导体薄膜构建沟道的场效应器件,其工作过程涉及栅控沟道调制、界面态作用、载流子输运等典型半导体器件物理问题,是连接基础理论与工程应用的重要器件。

薛宁研究员从TFT的发展历史和工作原理出发,系统介绍了TFT的基本结构、沟道形成机制、电流特性以及阈值电压、迁移率、开关比、亚阈值摆幅和可靠性漂移等关键电学指标,重点讲解了a-Si:HLTPSIGZO和有机TFT等主流材料体系及其特点,分析了不同技术路线在液晶显示、AMOLED显示、柔性电子和可穿戴设备中的应用优势与局限。同时,课程还涉及薄膜沉积、图形化、互连、钝化与阵列集成等制造工艺,使同学们认识到TFT技术不仅涉及器件物理,也与材料选择、工艺集成、封装保护和系统可靠性密切相关。

本次专家授课内容紧扣半导体器件物理基础,面向新型显示与柔性电子产业前沿。通过校企合作式课堂教学,同学们进一步理解了半导体器件从物理原理到工程应用的转化过程,拓宽了对薄膜半导体器件、柔性电子和电子封装相关技术的认识,对提升专业学习兴趣和工程实践意识具有积极意义。